Giới thiệu về chất bán dẫn
Thông tin dang ky w88 mới

Ở đây chúng tôi giới thiệu thông tin dang ky w88 mới cho chất bán dẫn điện.

Ngày phát hành thông tin	Thông tin dang ky w88 mới
2023.07.11	Liên quan đến việc phát hành IPM công suất nhỏ thế hệ thứ 3 góp phần giảm mức tiêu thụ năng lượng của các thiết bị đã cài đặt
2023.06.02	Thông tin dang ky w88 mới cho IC cộng hưởng hiện tại FA6C64N đã được đăng.
2023.06.02	Thông tin dang ky w88 mới cho kiểm soát cải tiến yếu tố công suất IC FA1B10N đã được đăng.
2021.10.26	Liên quan đến việc phát hành loạt SIC-SBD rời rạc thế hệ thứ hai góp phần tiết kiệm năng lượng trong các trung tâm dữ liệu và các trạm cơ sở truyền thông
2021.06.07	Thông tin dang ky w88 mới cho loạt IPM X thế hệ thứ 7 đã được đăng.
2019.07.30	Về việc mở rộng loạt các mô -đun IGBT thế hệ thứ 7 "X Series"
2018.08.31	Bắt đầu lô hàng mẫu của các mô-đun RC-IGBT nhận ra thu nhỏ thiết bị công nghiệp
2017.02.01	125376_125405
2016.03.31	Phát hành Super Junction MOSFET "Super J MOS® S2/S2FD Series"
2014.10.20	125671_125725
2014.10.15	Phát hành "Sê-ri ô tô Super J MOS®" hỗ trợ đảm bảo chất lượng cho ô tô (tuân thủ AEC-Q101)
2014.10.06	126001_126059
2014.06.23	Xếp hạng hiện tại cho "IPM công suất nhỏ" đã được tăng lên 30a. Mở rộng chuỗi bằng cách thêm các chức năng bảo vệ khác nhau và các tùy chọn đầu ra báo động
2014.04.07	126308_126369
2013.10.14	Được phát hành "IC cộng hưởng hiện tại (Sê-ri FA6A)" hỗ trợ các đầu vào trên toàn thế giới đạt được sức mạnh dự phòng thấp và hiệu quả cao
2013.04.22	Bán dẫn điện IGBT rời rạc (Bảng dữ liệu) \| link w88
2013.04.15	Được phát hành 'AT-NPC 3 cấp 12in1 Mô-đun IGBT' lý tưởng cho các mạch 3 cấp 3 pha
2012.10.08	126978_127029
2012.01.11	Phát hành MOSFE của Super J MOS®, đạt được tổn thất thấp nhất trong ngành